SJ 50033.1-1994 半导体分立器件.3DA150型高频功率晶体管详细规范
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ID： |
8D009C013C3A46CE92EE18522B8944BC |
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文件大小(MB)： |
0.45 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/1-94,半导体分立器件,3DA150型高频功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DA150,high frequency and power transistor,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DA150型髙频功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DA150,high frequency and power transistor,SJ 50033/1-94,范围,1,I 主题内容,本规范规定了 3DA150型高频功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和果购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581 - 87半导体分立器件外形尺寸ー,GIB 33 - 85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部!994-09-30发布1994-12-01 实施,1,SJ 50033/1—94,引出端材料应为可伐。引出端表面应为暢层或银层,3.2.2 器件结构,采用外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的A3-02B型及如下规定。见图し,mm,符号法,A3-02B,min nom max,4 6.10 6.6,曲5.080,他E01,血0,407 0.508,四8.64 9.39,幽8.01 8.50,j 0,712 0.787 0,863,K 0.740 1.14,L 12,5 25.0,しL27,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.311最大额定值,型 号,■l,丁「25 匕,(W),^OBQ,(V),y匸加,(V) (V),I,(A),厶,(V),ァ曲,(C),3DA15OB,3DA150C,3DA150D,L5,150,200,250,150,200,250,5 0.1 175 -55-175,注:D rc>25r时按iomw/r的速率线性地降额,3.3.2主要电特性(Ta=25匕),—2 一,SJ 50033ハー94,\ ^FE2 VcED A c& 双制］ー、,、极限值V田二 20V VCe^20V Ic = 50mA アce = 20 V VcB-lOV V^=10V,\ = 10mA 1￠ 工 50mA い5mA 厶= 5mA I￡- lOniA yo い 20mA,\,/ =30 MHz 25￡く丁 じく";5 弋,\,(V) (V) (MHz) (pF) （r/w）,型外,最小值最大值最大值最小值最大值最大值,3DA150B-D 30-180 25 0.7 L2 50 6 100,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质畳保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表!极限值的器件应予剔除,筛 选,(见 GJB 33 表 2),测 试 或 试 验,7.中间电参数测试【CBOI和えEEI,8,功率老化功率老化条件如下:,丒エ 162.5± 12.5 じ,375 V,P^-LOW,9.最后泗试: 按本规范表1的A2分组,Aicsm式初始值的1。。%或LOfiA,取较大者i,品阻く初始值的土的为,4.4 质量一致性检脸,质量一致性检脸应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规、范表2的规定进行,4.4.3 C组检脸,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,3,SJ 50033/1-94,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定:,4.5.I 脉冲测试,脓冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,集电极ー发射极,击穿电压,3DA15OB,3DA150C,3DA150D,发射扱一基极,击穿电压,集电极-基板,截止电流,集电极一发射极,截止电流,集电极ー发射极,饱和电压,基极ー发射极,饱和电压,正向电流传输比,本规范,附录A,292.2,2.1,2.1,4,2.3,2.S,2片,发射极一基极开路;,工 匸二 !0011A,集电极ー筌极开路i,レ产100屋,发射极』基极开路;,ぬ广ド而,发射极.基极开路;,Vc……
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